12月9日消息，国产针对外界的存储长江存储传闻，长江存储公开回应称，没打他们没有上市的算上市更打算。

长江存储发布声明称，借壳近期多家媒体捏造、国产散布和传播长江存储“借壳上市”的存储长江存储不实传闻。为澄清事实，没打我司发表声明如下：

一、算上市更长江存储从无任何“借壳上市”的借壳意愿。     

二、国产长江存储与“万润科技”等上市公司无直接业务合作。存储长江存储

三、没打请相关单位自重并立即停止一切失实报道。算上市更我司将保留追究相关单位法律责任的借壳权利。

作为国产存储之光，之前有消息称长江存储在面临美国出口限制和被列入实体清单的双重压力下，已成功采用国产半导体设备替代部分美系设备。

长江存储自研Xtacking架构可让3D NAND的层数堆叠到232层，即使与美光、三星和SK海力士等知名制造商相比，也具有极强的竞争优势。

据悉，长江存储已经使用中微半导体设备公司的蚀刻设备、北方华创的沉积与蚀刻设备，以及拓荆科技的沉积设备，成功制造出3D NAND闪存芯片。

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